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FQB6N80TM

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  • 大小:921KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:800
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:QFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.95 欧姆 @ 2.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:31nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1500pF @ 25V
  • 功率 - 最大:3.13W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:TO-263-2
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:FQB6N80TM-NDFQB6N80TMTR
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